킹머핀의 제작 일지
물리) 전기 에너지 본문
왠지 전기에 관한 내용을 배울 때면 공대생이 되는 기분이라서 싫다. (공대생 맞음)
강의 들으면서 정리하는 거라 내용이 완전하지 않음. (이 글을 보며 물리 공부를 하지 마세요!)
(정)전기력 : 전하 간의 인력과 척력. 단위는 F. 전력과 다름(위의 출처)
정전기 : 흐르지 않는 전기. 양전기(+)와 음전기(-)로 이루어져 있기 때문에 정전기력이 작용.
대전체 : 양전하와 음전하 개수의 차이로 인해 전하를 띄는 물체.
정전기 유도 : 전기적으로 중성인 물체에 대전된 물체를 가까이 대면 자석처럼 서로 반대의 전하가 모이는 현상
쿨롱의 법칙
정전기력을 수식으로 표현하자. 전하량(전기량) : q (절댓값)(단위는 C), 전기상수 : k = 9*10^9 (단위는 Nm^2/C^2)
이걸로 양성자를 중심으로 회전하는 전자의 거리와 구심 가속도를 통해 회전 속도를 구할 수 있다!
\[ 구심력 = 정전기력 + 만유인력 \]
동전기력 : 이런 말은 없는 듯
동전기 : 어떤 방향으로 흐르는 전기.
전기가 흐르는 회로의 3요소 : 전원, 전구(부하, 에너지 사용), 전선으로 이루어져 있다.
전기의 3요소 :
- 전압(V, 직렬로 연결하면 더 강해진다)
- 전류(I, 단위 시간 동안에 흐른 전하의 양, 전압이 높은 곳에서 낮은 곳으로 흐른다)(단위는 A)
- 저항(R, 에너지를 '사용'하면 부하저항)(단위는 Ω)
직류 : 전압과 전류가 변하지 않음
교류 : 전압과 전류가 사인파를 그리며 흐름. 즉 전류의 방향이 계속 바뀐다. 그래서 발전기 회전 수를 같이 표기함.
옴(Ω)의 법칙, 전기의 3요소 사이의 관계 : V = IR
너무 저항
전류(I)는 직렬에서 저항을 거쳐도 낮아지지 않고, 전압(V)은 병렬에서 저항을 거쳐도 낮아지지 않는다.
저항을 병렬 연결했을 때의 합성저항 :
\[ R = \frac{R_1R_2}{R_1 + R_2} \]
\[\frac{1}{R} = \frac{R_1 + R_2}{R_1R_2} = \frac{1}{R_1} + \frac{1}{R_2} \]
저항 때문에 전기 에너지가 열 에너지로 변환되는 정도 (부하저항 아님) : Q = IVt(J) \( = \frac{V^2}{R}t(J) = I^2Rt \), 단위가 cal이면 \( IVt(cal) = 0.24IVt(cal) \)
양이온은 온도가 높을수록 전자의 이동을 방해해서 저항이 증가한다.
자기현상
자기를 항상 사랑하게 되는 현상.
전류가 흐를 때 자기장이 생기거나 자기장에 전류가 흐르면 자기력을 얻는 현상.
전자기 유도
자기력의 세기나 방향의 변화에 따라 유도 전기(전원이 없음)가 발생하는 현상. 발전기의 원리.
전력
1초 당 사용하는 전기 에너지. 효율을 평가할 수 있음.
전력 : P = IV = I^2R (단위는 W)
전력량 : Pt = 전력 * 시간 (단위는 Whr)
반도체
자유 전자 : 전자 궤도를 이탈하여 물질 내에서 자유롭게 운동하는 '음'전자. 반도체에 전원을 연결하면 +전극으로 이동한다.
자유 전자의 전기량 : -1.6*10^-19C
자유 전자의 질량 : 9.11*10^-31kg
정공 : 반도체 (혹은 절연체)에 대하여 (원래 전자로 채워져 있어야 됨) 원자가띠의 전자가 부족한 상태인 준입자이다. 예를 들어 빛이나 열로써 원자가띠가 전도띠 측에 전이되어서 원자가띠의 전자가 부족한 상태가 된다. 양공은 이 전자의 부족으로부터 생기는 구멍(상대적으로 양의 전하를 가지고 있는 것처럼 보임)이다.
금속 도체와 반대로 온도가 높아지면 저항이 감소한다. 또 불순물 비율과 자기장에 따라 저항이 변할 수 있다.
진성 반도체 : 자유 전자 수 = 정공 수
n형 반도체 : 자유 전자 수 > 정공 수
p형 반도체 : 자유 전자 수 < 정공 수
다이오드 : n형(음극)과 p형(양극) 반도체를 붙임.(전기는 항상 양에서 음으로) 교류를 직류로 출력하는 정류 작용을 함. 전류를 빛으로 바꾸거나 빛을 전류로 바꾸기도 가능함.
트랜지스터 : npn 또는 pnp로 반도체를 붙임. 가운데의 얇은 막인 베이스 반도체가 전류 흐름을 제어한다.
실리콘(Si)는 반도체 핵심 성분.
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